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MOSFET Vishay, canale N, 520 mΩ, 11 A, TO-220AB, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1780823
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRFB11N50APBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale N, 500 V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
11 A
Tensione massima drain source:
500 V
Tipo di package:
TO-220AB
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
520 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
170 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
10.41mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 1780823, Semiconduttori, Discreti, Vishay, IRFB11N50APBF
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