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MOSFET Vishay, canale P, 600 mΩ, 1 A, HVMDIP, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1780917
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     IRFD9120PBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
1 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
HVMDIP
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
600 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
1,3 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 1780917, Semiconduttori, Discreti, Vishay, IRFD9120PBF
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