Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-1781387 N. Art. Produtt.:
LET9045F EAN/GTIN:
n.d. |
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| Transistor MOSFET RF, STMicroelectronics. I transistor a radio frequenza sono LDMOS adatti per uplink satellitari in banda L e transistor di potenza DMOS in applicazioni che vanno da 1 MHz a 2 GHz. Altre informazioni: | | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 9 A | Tensione massima drain source: | 80 V | Tipo di package: | M250 | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Numero pin: | 3 | Modalità del canale: | Enhancement | Dissipazione di potenza massima: | 108 W | Configurazione transistor: | Singolo | Tensione massima gate source: | -0,5 V, +15 V | Lunghezza: | 9.91mm | Massima temperatura operativa: | +200 °C | Numero di elementi per chip: | 1 | Materiale del transistor: | Si | Larghezza: | 6.09mm |
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| Altri termini di ricerca: 1781387, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, LET9045F |
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