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MOSFET Vishay Siliconix, canale P, 20 mΩ, 30 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1783717
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQJ415EP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza TrenchFET®
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
30 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
PowerPAK SO-8L
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
20 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Tensione di soglia gate minima:
1.5V
Dissipazione di potenza massima:
45 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
5.99mm
Altri termini di ricerca: 1783717, Semiconduttori, Discreti, Vishay Siliconix, SQJ415EPT1_GE3
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