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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET Vishay Siliconix, canale P, 760 mΩ, 9,4 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1783873
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SQJ431AEP-T1_GE3
EAN/GTIN:
5059045701187
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Tipo di canale = P
Corrente massima continuativa di drain = 9,4 A
Tensione massima drain source = 200 V
Serie = TrenchFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 4
Resistenza massima drain source = 760 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 3.5V
Tensione di soglia gate minima = 2.5V
Dissipazione di potenza massima = 68 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Larghezza = 5mm
Altezza = 1.07mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
9,4 A
Tensione massima drain source:
200 V
Tipo di package:
PowerPAK SO-8L
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
760 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Tensione di soglia gate minima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
68 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
5.99mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
1783873
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Vishay Siliconix
,
SQJ431AEPT1_GE3
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