MOSFET Vishay Siliconix, canale N, 600 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 2 A
Tensione massima drain source = 60 V
Serie = TrenchFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 600 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 0.46V
Tensione di soglia gate minima = 1V
Dissipazione di potenza massima = 3 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±8 V
Numero di elementi per chip = 1mm
Minima temperatura operativa = -55 °CV