MOSFET Vishay Siliconix, canale N, 4 mΩ, 60 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 60 A
Tensione massima drain source = 60 V
Serie = TrenchFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 4 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2V
Tensione di soglia gate minima = 3.6V
Dissipazione di potenza massima = 65,7 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Massima temperatura operativa = +150 °Cmm
Minima temperatura operativa = -55 °CV