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MOSFET Vishay Siliconix, canale N, 9 mΩ, 30 A, PowerPAIR 3 x 3, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1783944
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SiZ350DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059045287964
Termini di ricerca:
MOSFET
MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV MOSFET high side e low side formano la combinazione ottimizzata per il 50% di duty cycle RDS - Qg e RDS - Qgd FOM elevano lefficienza di commutazione ad alta frequenza APPLICAZIONI Buck sincrono Conversione c.c./c.c. Half Bridge POL
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
30 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
PowerPAIR 3 x 3
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
9 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1V
Tensione di soglia gate minima:
2.4V
Dissipazione di potenza massima:
16,7 W
Tensione massima gate source:
-12 V, +16 V
Lunghezza:
3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 1783944, Semiconduttori, Discreti, Vishay Siliconix, SiZ350DTT1GE3
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