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MOSFET Vishay Siliconix, canale N, 70 mΩ, 14,2 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-1783962
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SiS110DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059045291756
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV Sintonizzati per la minima RDS - Qoss FOM
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
14,2 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
PowerPAK 1212-8
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
70 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2V
Tensione di soglia gate minima:
4V
Dissipazione di potenza massima:
24 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
3.15mm
Altri termini di ricerca: 1783962, Semiconduttori, Discreti, Vishay Siliconix, SiS110DNT1GE3
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