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MOSFET onsemi, canale N, 125 mΩ, 24 A, TO-247, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1784239
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FCH125N65S3R0-F155
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 24 A
Tensione massima drain source = 650 V
Tipo di package = TO-247
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 125 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4.5V
Tensione di soglia gate minima = 2.5V
Dissipazione di potenza massima = 181 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±30 V
Larghezza = 4.82mm
Altezza = 20.82mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
24 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
125 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Tensione di soglia gate minima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
181 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
15.87mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1784239, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FCH125N65S3R0F155
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