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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 2,1 mΩ, 203 A, DFN, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1784435
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NVMFS6H800NT1G
EAN/GTIN:
5059045290599
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 203 A
Tensione massima drain source = 80 V
Tipo di package = DFN
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 5
Resistenza massima drain source = 2,1 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Tensione di soglia gate minima = 2V
Dissipazione di potenza massima = 200 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Larghezza = 6.1mm
Altezza = 1.05mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
203 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
DFN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
5
Resistenza massima drain source:
2,1 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
200 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
5.1mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
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1784435
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NVMFS6H800NT1G
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