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MOSFET onsemi, canale P, 380 mΩ, 1,7 A, WDFN, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1787541
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVTFS5124PLTAG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
1,7 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
WDFN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
380 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
18 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
3.15mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 1787541, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NVTFS5124PLTAG
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