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Transistor a effetto campo
>
Articolo
MOSFET Vishay, canale P, 0,0205 O, 14,9 A, SO-8, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-1807295
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SI4825DDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Tipo di canale = P
Corrente massima continuativa di drain = 14,9 A
Tensione massima drain source = 30 V
Serie = TrenchFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0,0205 O
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
14,9 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SO-8
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,0205 O
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Numero di elementi per chip:
1
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
FET di giunzione
,
Transistor
,
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
transistor a effetto campo
,
1807295
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Vishay
,
SI4825DDYT1GE3
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