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MOSFET Vishay, canale N, P, 0,1 O,0,235 O, 4 A, 3,7 A, ChipFET 1206, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1807303
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI5504BDC-T1-E3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N, P
Corrente massima continuativa di drain = 4 A, 3,7 A
Tensione massima drain source = 30 V
Serie = TrenchFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0,1 O,0,235 O
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 3V
Numero di elementi per chip = 2
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N, P
Corrente massima continuativa di drain:
4 A, 3,7 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
ChipFET 1206
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,1 O,0,235 O
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3V
Numero di elementi per chip:
2
Altri termini di ricerca: 1807303, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SI5504BDCT1E3
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