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MOSFET Vishay, canale P, 0,02 O, 50 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1807402
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQD50P06-15L_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = P
Corrente massima continuativa di drain = 50 A
Tensione massima drain source = 60 V
Serie = TrenchFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,02 O
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
50 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,02 O
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 1807402, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SQD50P0615L_GE3
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