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MOSFET onsemi, canale N, 2,3 mΩ, 222 A, TO-220, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1811858
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDP2D3N10C
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 222 A
Tensione massima drain source = 100 V
Tipo di package = TO-220
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 2,3 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Tensione di soglia gate minima = 2V
Dissipazione di potenza massima = 214 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Larghezza = 4.67mm
Altezza = 15.21mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
222 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
TO-220
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
2,3 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
214 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
10.36mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza, 1811858, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDP2D3N10C
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