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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 150 A, canale P, TO-247


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N. Articolo:
     3369E-1811866
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FGH75T65SHDTL4
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 150 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Dissipazione di potenza massima = 455 W
Tipo di package = TO-247
Tipo di montaggio = Su foro
Tipo di canale = P
Numero pin = 4
Velocità di switching = 1MHz
Configurazione transistor = Singolo
Dimensioni = 15.8 x 5.2 x 22.74mm
Minima temperatura operativa = -55 °CpF
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
150 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
455 W
Numero di transistor:
1
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
P
Numero pin:
4
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
15.8 x 5.2 x 22.74mm
Classe di efficienza energetica:
160mJ
Capacità del gate:
3710pF
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 1811866, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, FGH75T65SHDTL4
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