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Transistor a effetto campo
>
Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 8,5 mΩ, 76 A, TO-220, Su foro
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1811907
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FDP8D5N10C
EAN/GTIN:
5059045716884
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 76 A
Tensione massima drain source = 100 V
Tipo di package = TO-220
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 8,5 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Tensione di soglia gate minima = 2V
Dissipazione di potenza massima = 107 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Larghezza = 4.67mm
Altezza = 15.21mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
76 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
TO-220
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
8,5 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
107 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
10.36mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
1811907
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
FDP8D5N10C
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€ 1,348*
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