Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-1811929 N. Art. Produtt.:
FGH75T65SQDNL4 EAN/GTIN:
5059045718864 |
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| Corrente massima continuativa collettore = 200 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Dissipazione di potenza massima = 375 W
Tipo di package = TO-247
Tipo di montaggio = Su foro
Tipo di canale = P
Numero pin = 4
Velocità di switching = 1MHz
Configurazione transistor = Singolo
Dimensioni = 15.8 x 5.2 x 22.74mm
Minima temperatura operativa = -55 °CpF Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa collettore: | 200 A | Tensione massima collettore emitter: | 650 V | Tensione massima gate emitter: | ±20V | Dissipazione di potenza massima: | 375 W | Numero di transistor: | 1 | Tipo di package: | TO-247 | Tipo di montaggio: | Su foro | Tipo di canale: | P | Numero pin: | 4 | Velocità di switching: | 1MHz | Configurazione transistor: | Singolo | Dimensioni: | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | Classe di efficienza energetica: | 160mJ | Capacità del gate: | 5100pF | Massima temperatura operativa: | +175 °C |
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| Altri termini di ricerca: transistor igbt, 1811929, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, FGH75T65SQDNL4 |
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