Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-1823293 N. Art. Produtt.:
CY7C1041G30-10ZSXE EAN/GTIN:
n.d. |
| | Termini di ricerca: SRAM |
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| Alta velocità tAA = 10 ns Gamma di temperature Automotive-e: Da -40°C a 125°C. Automotive-A: Da -40°C a 85°C. ECC incorporato per correzione degli errori a bit singolo[1, 2] Bassa corrente in standby e desercizio Corrente attiva ICC = 40 ma tipica Corrente di standby ISB2 = 6 ma tipica Gamma di tensione desercizio: Da 2,2 V a 3,6 V. 1,0 V di conservazione dei dati Ingressi e uscite compatibili TTL Pacchetti VFBGA a 48 sfere senza piombo e TSOP II a 44 pin Altre informazioni: | | Dimensioni memoria: | 4Mbit | Organizzazione: | 256k x 16 bit | Numero di parole: | 256k | Numero di bit per parola: | 16bit | Tempo di accesso casuale massimo: | 10ns | Larghezza del bus indirizzi: | 16bit | Frequenza di clock: | 1MHz | Bassa potenza: | Sì | Temporizzazione: | Asincrono | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Tipo di package: | TSOP | Numero pin: | 44 | Dimensioni: | 18.51 x 10.26 x 1.05mm | Altezza: | 1.05mm | Tensione di alimentazione operativa massima: | 3,6 V |
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| Altri termini di ricerca: 1823293, Semiconduttori, Memorie, Infineon, CY7C1041G3010ZSXE |
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