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MOSFET onsemi, canale N, 50 mA, CPH, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1858133
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NSVJ6904DSB6T1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
NSVJ6904DSB6 è un tipo composito di JFET progettato per dimensioni compatte e alta efficienza in grado di ottenere elevate prestazioni. Questo dispositivo compatibile con PPAP è adatto per applicazioni automobilistiche.Alta velocità di trasferimento in avanti ingresso / yfs / CISS piccola capacità Figura del rumore ultraleggero Senza piombo, senza alogeni Il pacchetto CPH6 è compatibile con SC-74 Capacità PPAP Tipo doppio Attivare la ricezione del segnale di livello piccolo Elevato guadagno Attivare la ricezione del segnale di livello piccolo Considerazione ambientale Consente luso in ambienti ad alta temperatura Per Automotive Larea di montaggio è notevolmente ridotta incorporando due JFET del NSVJ3910SB3 in un pacchetto di CPH6 rispetto allutilizzo di due pacchetti separati Applicazioni Amplificazione RF sintonizzatore AM Amplificatore a bassa rumorosità Prodotti finali Sistema audio per auto
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
50 mA
Tensione massima drain source:
25 V
Tipo di package:
CPH
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Dissipazione di potenza massima:
700 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Lunghezza:
2.9mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Larghezza:
1.6mm
Standard per uso automobilistico:
AEC-Q101
Altezza:
0.85mm
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: transistor di potenza, 1858133, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NSVJ6904DSB6T1G
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