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MOSFET onsemi, canale N, 670 μΩ, 420 A, DFNW8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1858160
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVMTS0D7N04CTXG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 420 A
Tensione massima drain source = 40 V
Tipo di package = DFNW8
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 670 μΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Tensione di soglia gate minima = 2V
Dissipazione di potenza massima = 205 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Lunghezza = 8.1mm
Altezza = 1.15mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
420 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
DFNW8
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
670 μΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
205 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
8.1mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1858160, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NVMTS0D7N04CTXG
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