Fotoaccoppiatore onsemi, Montaggio superficiale, uscita MOSFET push-pull, 6 Pin

FOD8343T - distanza Di Dispersione e gioco di 8 mm e Distanza Di Isolamento di 0,4 mm per Ottenere Un Isolamento Affidabile e ad alta tensione Capacità Di Pilotaggio Di Corrente di uscita Peak da 4,0 A per IGBT/MOSFET di media potenza Luso di MOSFET a canale P in fase di uscita Consente loscillazione della tensione di uscita vicino al binario di alimentazione 20 kV/μs Reiezione minima della modalità comune Ampia gamma di tensione di alimentazione: Da 10 V a 30 V. Velocità Di Commutazione Rapida Su Gamma Di Temperatura Di Esercizio Completa Ritardo Di Propagazione Massimo 210 Ns 65 Ns Distorsione Massima Della Larghezza Di Impulso Blocco di sicurezza contro sottotensione (UVLO) con Isteresi Gamma estesa per il settore industriale: Da -40°C a 100°C. Applications Azionamenti per motori c.a. e brushless Inverter Industriale Alimentatore continuo Riscaldamento A Induzione Gate drive MOSFET di potenza/IGBT isolato