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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 14,5 mΩ, 44 A, WDFN, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1859264
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NVTFS6H854NTAG
EAN/GTIN:
5059045651147
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 44 A
Tensione massima drain source = 80 V
Tipo di package = WDFN
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 14,5 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Tensione di soglia gate minima = 2V
Dissipazione di potenza massima = 68 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Massima temperatura operativa = +175 °Cmm
Standard per uso automobilistico = AEC-Q101mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
44 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
WDFN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
14,5 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
68 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
3.15mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
1859264
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NVTFS6H854NTAG
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