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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 480 μΩ, 533 A., DFNW8, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-1861277
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NTMTS0D6N04CTXG
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 533 A.
Tensione massima drain source = 40 V
Tipo di package = DFNW8
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 480 μΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Tensione di soglia gate minima = 2V
Dissipazione di potenza massima = 245 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Numero di elementi per chip = 1mm
Altezza = 1.15mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
533 A.
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
DFNW8
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
480 μΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
245 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
8.1mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
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1861277
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NTMTS0D6N04CTXG
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