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MOSFET onsemi, canale N, 82 mΩ, 40 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1861281
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVB082N65S3F
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 40 A
Tensione massima drain source = 650 V
Tipo di package = D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 82 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Dissipazione di potenza massima = 313 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±30 V
Larghezza = 9.65mm
Altezza = 4.58mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
40 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
82 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Dissipazione di potenza massima:
313 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Carica gate tipica @ Vgs:
81 nC a 10 V
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1861281, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NVB082N65S3F
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