Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-1867200 N. Art. Produtt.:
NTGD4167CT1G EAN/GTIN:
n.d. |
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| MOSFET di potenza, Complementary, 30V, +2.9/-2.2 A, TSOP-6 DualMOSFET a canale N e a canale P complementari Confezione TSOP-6 Dual Size (3 x 3 mm) Tecnologia leader di banco Edge per bassa resistenza allaccensione Riduzione della carica del gate per migliorare la risposta di commutazione Dispositivi collegati in modo indipendente per garantire flessibilità di progettazione Applications Circuiti di conversione DC-DC Commutazione carico/potenza con cambio di livello Prodotti finali Telefono cellulare, PMP, DSC, GPS, videogiochi portatili, PC, stampanti, periferiche, DTV, decoder Top Box e altri prodotti di consumo digitale e di elaborazione Altre informazioni: | | Tipo di package: | TSOP | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Dissipazione di potenza massima: | 1,1 W | Configurazione transistor: | Doppio | Numero pin: | 6 | Numero di elementi per chip: | 2 | Dimensioni: | 3.1 x 1.7 x 1mm | Massima temperatura operativa: | +150 °C | Altezza: | 1mm | Lunghezza: | 3.1mm | Minima temperatura operativa: | -55 °C | Larghezza: | 1.7mm |
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| Altri termini di ricerca: Transistor dual, FET di giunzione, Transistor, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1867200, Semiconduttori, Discreti, Transistor bipolari, onsemi, NTGD4167CT1G |
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