Fotoaccoppiatore onsemi, Montaggio con foro passante, uscita IGBT, MOSFET, 8 Pin

Elevata immunità al rumore caratterizzata da una reiezione minima della modalità comune di 35 kV/μs Capacità di pilotaggio della corrente di Peak Output da 2,5 A per la maggior parte degli IGBT da 800 V/20 A. Lutilizzo di MOSFET a canale P nello stadio di uscita consente loscillazione della tensione di uscita vicino alla linea di alimentazione Ampia gamma di tensione di alimentazione da 15 V a 30 V. Elevata velocità di commutazione Max. Ritardo di propagazione 400 ns Distorsione massima ampiezza dimpulso di 100 ns Blocco di sottotensione (UVLO) con isteresi Gamma di temperature industriali estese, da -40°C a 100°C. RDS(ON) da 3 Ω (tip.) per una dissipazione di potenza inferiore >Distanza e distanza di gocciolamento di 8,0 mm (opzione T) Alimentatore continuo Inverter industriale Gate drive IGBT/MOSFET di potenza isolato Riscaldamento a induzione Applications Alimentatore per rivenditori AC-DC Generazione e distribuzione di energia Motore industriale Alimentatore continuo