Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 3369E-1869114 N. Art. Produtt.: NCP5106BDR2G EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Moduli di potenza IGBT e MOSFET, ON Semiconductor. Driver di potenza per circuiti MOSFET e IGBT low side, high side e half-bridge. Altre informazioni: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Corrente di uscita: | 500 mA | Tensione di alimentazione: | 20V | Numero pin: | 8 | Tempo di discesa: | 75ns | Tipo di package: | SOIC | Numero di uscite: | 2 | Tempo di salita: | 160ns | Dipendenza alta e bassa: | Indipendente | Numero di driver: | 2 | Ritardo: | 170ns | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Altezza: | 1.5mm | Corrente di bias in ingresso: | 25µA | Lunghezza: | 5mm | Massima temperatura operativa: | +125 °C |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: 1869114, Semiconduttori, Gestione alimentazione e potenza, Gate driver, onsemi, NCP5106BDR2G |
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