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Driver gate MOSFET NCP5106BDR2G, 500 mA, 20V, SOIC, 8-Pin


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1869114
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NCP5106BDR2G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Moduli di potenza IGBT e MOSFET, ON Semiconductor. Driver di potenza per circuiti MOSFET e IGBT low side, high side e half-bridge.
Altre informazioni:
Corrente di uscita:
500 mA
Tensione di alimentazione:
20V
Numero pin:
8
Tempo di discesa:
75ns
Tipo di package:
SOIC
Numero di uscite:
2
Tempo di salita:
160ns
Dipendenza alta e bassa:
Indipendente
Numero di driver:
2
Ritardo:
170ns
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Altezza:
1.5mm
Corrente di bias in ingresso:
25µA
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+125 °C
Altri termini di ricerca: 1869114, Semiconduttori, Gestione alimentazione e potenza, Gate driver, onsemi, NCP5106BDR2G
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