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MOSFET Vishay, canale N, 182 mΩ, 19 A, TO-220, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1884871
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHA22N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 19 A
Tensione massima drain source = 600 V
Tipo di package = TO-220
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 182 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Tensione di soglia gate minima = 2V
Dissipazione di potenza massima = 33 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±30 V
Larghezza = 4.7mm
Altezza = 15.3mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
19 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
TO-220
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
182 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
33 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
10.3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1884871, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHA22N60EFGE3
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