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MOSFET Vishay, canale N, 11 mΩ, 52 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1884889
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIS862ADN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 52 A
Tensione massima drain source = 60 V
Tipo di package = PowerPAK 1212-8
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 11 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Tensione di soglia gate minima = 1V
Dissipazione di potenza massima = 39 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Larghezza = 3.15mm
Altezza = 1.07mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
52 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
PowerPAK 1212-8
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
11 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
39 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
3.15mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1884889, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIS862ADNT1GE3
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