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MOSFET Vishay, canale N, 6 mΩ, 25 A, PowerPAK 1212-8SH, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1884898
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SiSHA12ADN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a 30 V (D-S) a canale N.MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
25 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
PowerPAK 1212-8SH
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
6 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.2V
Tensione di soglia gate minima:
1.1V
Dissipazione di potenza massima:
28 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-16 V, +20 V
Lunghezza:
3.3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1884898, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SiSHA12ADNT1GE3
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Tipo
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Articolo
N. Art. Produtt.
Prezzo
Simile
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