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MOSFET Vishay, canale N, 8 mΩ, 20 A, PowerPAK 1212-8SH, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1884899
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SiSHA14DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 20 A
Tensione massima drain source = 30 V
Tipo di package = PowerPAK 1212-8SH
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 8 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.2V
Tensione di soglia gate minima = 1.1V
Dissipazione di potenza massima = 26,5 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = -16 V, +20 V
Larghezza = 3.3mm
Altezza = 0.93mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
20 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
PowerPAK 1212-8SH
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.2V
Tensione di soglia gate minima:
1.1V
Dissipazione di potenza massima:
26,5 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-16 V, +20 V
Lunghezza:
3.3mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1884899, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SiSHA14DNT1GE3
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