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Transistori
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MOSFET
>
Articolo
MOSFET Vishay, canale N, 530 mΩ, 850 mA, SOT-363, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-1884911
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SQ1922AEEH-T1_GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 850 mA
Tensione massima drain source = 20 V
Tipo di package = SOT-363
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 6
Resistenza massima drain source = 530 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Tensione di soglia gate minima = 1.5V
Dissipazione di potenza massima = 1,5 W
Tensione massima gate source = ±12 V
Larghezza = 1.35mm
Altezza = 1mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
850 mA
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-363
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
530 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Tensione di soglia gate minima:
1.5V
Dissipazione di potenza massima:
1,5 W
Tensione massima gate source:
±12 V
Lunghezza:
2.2mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
2
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
1884911
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Vishay
,
SQ1922AEEHT1_GE3
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