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MOSFET Vishay, canale N, 4,7 mΩ, 100 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1884912
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQD40020E_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 100 A
Tensione massima drain source = 40 V
Tipo di package = DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 4,7 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 3.5V
Tensione di soglia gate minima = 2.5V
Dissipazione di potenza massima = 107 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Lunghezza = 10.41mm
Altezza = 4.57mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
4,7 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Tensione di soglia gate minima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
107 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
10.41mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1884912, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SQD40020E_GE3
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