MOSFET Vishay, canale N, 182 mΩ, 19 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 19 A
Tensione massima drain source = 600 V
Tipo di package = D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 182 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Tensione di soglia gate minima = 2V
Dissipazione di potenza massima = 179 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±30 V
Larghezza = 9.65mm
Minima temperatura operativa = -55 °CV