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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 420 mΩ, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1888285
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STD11N60DM2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 10 A
Tipo di package = DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 420 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 5V
Tensione di soglia gate minima = 4V
Dissipazione di potenza massima = 110 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±25 V
Larghezza = 6.2mm
Altezza = 2.17mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
10 A
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
420 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
4V
Dissipazione di potenza massima:
110 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±25 V
Lunghezza:
6.6mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, 1888285, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STD11N60DM2
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