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MOSFET onsemi, canale N, 17,3 mΩ, 27 A, WDFN, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1890268
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVTFS015N04CTAG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione Fianco tavolo bagnato disponibile per lispezione Ottica avanzata.Ingombro ridotto (5x6 mm) Bassa resistenza RDS(on) QG e capacità bassi Nvmfs5c404nlwf - Ottica Del Fianco Bagnabile Capacità PPAP Design compatto Riduzione al minimo delle perdite di conduzione Riduce le perdite di driver Ottica ottimizzata Applications Protezione dalle inversioni di polarità della batteria Alimentatori switching Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.) Prodotti finali Comando solenoide - ABS, iniezione carburante Comando Motorino - Eps, Tergicristalli, Ventole, Sedili, Ecc. Interruttore Di Carico - Ecu, Telaio, Carrozzeria
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
27 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
WDFN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
17,3 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Tensione di soglia gate minima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
23 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
3.15mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1890268, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NVTFS015N04CTAG
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