IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, A

Questi dispositivi sono IGBT sviluppati utilizzando una struttura Advanced proprietaria trench gate e field-stop. Il dispositivo fa parte della nuova serie HB di IGBT, che rappresentano un compromesso ottimale tra perdite di conduzione e di commutazione per massimizzare lefficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Inoltre, un coefficiente di temperatura VCE(sat)leggermente positivo e una distribuzione molto stretta dei parametri danno come risultato un funzionamento in parallelo più sicuro.Temperatura massima di giunzione: TJ= 175 °C. Serie di commutazione ad alta velocità Corrente di coda ridotta al minimo VCE(sat)= 1,55 V (tip.) @ IC= 20 A. Distribuzione dei parametri ridotta Collegamento in parallelo sicuro Bassa resistenza termica Confezione senza piombo