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Memoria Flash Cypress Semiconductor, 512Mbit, BGA, 24 Pin, CFI, SPI


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1938759
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     S25FL512SAGBHI310
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Memoria FLASH
Memorias FLASH
memoria flash
Questo dispositivo si collega a un sistema host tramite uninterfaccia Periferica seriale (SPI). Lingresso e luscita seriali SPI a singolo bit (SingleI/o o SIO) tradizionali sono supportati, nonché i comandi seriali opzionali a due bit (Dual i/o o DIO) e a quattro bit (Quad i/o QIO). Questa interfaccia multiplwidth è chiamata SPI Multi-i/o o MIO. Inoltre, la famiglia FL-S aggiunge il supporto per i comandi di lettura Double Data Rate (DDR) per SIO, DIO e QIO che trasferiscono lindirizzo e leggono i dati su entrambi i fronti del clock.Larchitettura Eclipse dispone di un Page Programming buffer che consente di programmare fino a 256 parole (512 byte) in ununica operazione, con conseguente faster efficace programmazione e cancellazione rispetto al programma SPI di generazione precedente o algoritmi di cancellazione. Lesecuzione del codice direttamente dalla memoria flash è spesso chiamata Execute-In-Place o XIP. Utilizzando dispositivi FL-S alle velocità di clock più elevate supportate, con i comandi QIO o DDR-QIO, la velocità di trasferimento di lettura delle istruzioni può corrispondere o superare le tradizionali interfacce parallele, asincrone, NÉ memorie flash, riducendo drasticamente il numero di segnali.il prodotto S25FL512S offre densità elevate, unite alla flessibilità e alle prestazioni veloci richieste da una varietà di applicazioni embedded. È ideale per lo shadowing del codice, XIP e larchiviazione dei dati.
Altre informazioni:
Dimensioni memoria:
512Mbit
Interfacce:
CFI, SPI
Tipo di package:
BGA
Numero pin:
24
Organizzazione:
64M x 8 bit
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tipo di cella:
NOR
Tensione di alimentazione operativa minima:
1,65 V (alimentazione i/o), 2,7 V (nucleo)
Tensione di alimentazione operativa massima:
3,6 V (core), 3,6 V (alimentazione i/o)
Organizzazione a blocchi:
Simmetrico
Lunghezza:
8mm
Altezza:
0.95mm
Larghezza:
6mm
Dimensioni:
8 x 6 x 0.95mm
Standard per uso automobilistico:
AEC-Q100
Altri termini di ricerca: 1938759, Semiconduttori, Memorie, Memorie Flash, Infineon, S25FL512SAGBHI310
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