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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET IXYS, canale N, 11 mΩ, 150 A, SOT-227, Montaggio a vite
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-194259
Produttore:
IXYS
N. Art. Produtt.:
IXFN180N15P
EAN/GTIN:
5059041202336
Termini di ricerca:
Diodo a recupero rapido
Diodi a recupero rapido
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS. MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
150 A
Tensione massima drain source:
150 V
Tipo di package:
SOT-227
Serie:
HiperFET, Polar
Tipo di montaggio:
Montaggio a vite
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
11 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Dissipazione di potenza massima:
680 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
38.23mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
transistor di potenza
,
194259
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IXYS
,
IXFN180N15P
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