Diodo onsemi, Montaggio superficiale, 9.1A, 650V, DPAK, Diodo Schottky

I diodi al carburo di silicio (SiC) Schottky utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendente dalla temperatura e eccellenti prestazioni termiche definiscono il carburo di silicio come la nuova generazione di semiconduttori di alimentazione. I vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza desercizio più veloce, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e ridotte dimensioni e costi del sistema.UIS elevato, corrente di picco e effetto valanga Elevata temperatura di giunzione Bassa VF Nessun Qrr 49mJ @ 25C TJ = 175C 1,41 V. <100nC Applications PFC