Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-1952575 N. Art. Produtt.:
FGY75T95LQDT EAN/GTIN:
n.d. |
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| Arresto Di Campo Trench 4th generazione IGBT a bassa Vcesat co−confezionato con diodo a corrente nominale completaTemperatura di giunzione massima: TJ =175℃ Coefficiente di temperatura positivo per facilitare il funzionamento in parallelo Capacità di corrente elevata Bassa tensione di saturazione: VCE(sat) = 1,31 V (tip.) a IC = 75 A Commutazione rapida Distribuzione dei parametri rigida Questi dispositivi sono senza piombo Altre informazioni: | | Tensione massima collettore emitter: | 950 V | Dissipazione di potenza massima: | 453 W | Tipo di package: | TO-247 | Tipo di montaggio: | Su foro | Numero pin: | 3 | Configurazione transistor: | Singolo | Dimensioni: | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | Massima temperatura operativa: | +175 °C | Minima temperatura operativa: | -55 °C |
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| Altri termini di ricerca: transistor igbt, 1952575, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, FGY75T95LQDT |
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