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Transistori
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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 1,1 mΩ, 337 A, DFN, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-1952677
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NVMTS1D2N08H
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Fiancata bagnabile per una migliore ispezione Ottica. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.Ingombro ridotto (8x8 mm) Design compatto Bassa resistenza RDS(on) Riduzione al minimo delle perdite di conduzione QG e capacità bassi Riduce le perdite di driver Opzione con fiancata bagnabile Ispezione visiva migliorata Capacità PPAP Applicazione Protezione dalle inversioni di polarità della batteria Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
337 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
DFN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
1,1 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
300 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
8.1mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
1952677
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NVMTS1D2N08H
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