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MOSFET onsemi, canale N, 0,028 Ω, 98 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1958969
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVBG020N120SC1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Il MOSFET SiC (carburo di silicio) a canale singolo On Semiconductor utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza IN STATO ATTIVO e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e una carica di gate. I vantaggi del sistema includono la massima efficienza, frequenza desercizio più veloce, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e ridotte dimensioni e costi del sistema.Carica di gate ultra bassa (tip. QG(tot) = 220nC) Capacità di uscita effettiva bassa Testato con effetto valanga al 100% Qualificati in conformità ad AEC Q101
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
98 A
Tensione massima drain source:
1200 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
7
Resistenza massima drain source:
0,028 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.3V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
SiC
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1958969, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NVBG020N120SC1
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