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Chip EEPROM SPI STMicroelectronics, da 512kbit, SO, SMD, 8 pin


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N. Articolo:
     3369E-1961991
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     M95512-WMN6TP
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
CMOS 4000
Memoria EEPROM
Memorie EEPROM
cmos 4000
I dispositivi M95512 sono Memorie programmabili (EEPROM) elettricamente cancellabili organizzate come 65536 x 8 bit, accessibili tramite il bus SPI. M95512-W può funzionare con una tensione di alimentazione da 2,5 V a 5,5 V, M95512-R può funzionare con una tensione di alimentazione da 1,8 V a 5,5 V e M95512-DF può funzionare con una tensione di alimentazione da 1,7 V a 5,5 V, Su una gamma di temperatura ambiente di -40 °C / +85 °C.Compatibile con il bus di interfaccia periferica seriale (SPI) Array di memoria 512 Kbit (64 Kbyte) di EEPROM Dimensioni pagina: 128 byte in scrittura. Scrittura byte entro 5 ms. Scrittura pagina entro 5 ms. Pagina aggiuntiva bloccabile in scrittura (pagina di identificazione) Protezione da scrittura: Un quarto, metà o lintero array di memoria Clock ad alta velocità: 16 MHz Tensione di alimentazione singola: Da 2,5 V a 5,5 V per M95512-W. Da 1,8 V a 5,5 V per M95512-R. Da 1,7 V a 5,5 V per M95512-DF Intervallo temperatura di esercizio da -40 °C a +85 °C Protezione EMI potenziata Più di 4 milioni di cicli di scrittura Oltre 20 anni di conservazione dei dati Contenitori: SO8 TSSOP8 UFDFPN8 WLCSP
Altre informazioni:
Dimensioni memoria:
512kbit
Interfacce:
Seriale SPI
Tipo di package:
SO
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Organizzazione:
65536 K x 8 bit
Tensione di alimentazione operativa minima:
2,5 V
Tensione di alimentazione operativa massima:
5,5 V
Tensione di programmazione:
2.5 → 5.5V
Numero di bit per parola:
8bit
Dimensioni:
5 x 4 x 1.5mm
Standard per uso automobilistico:
AEC-Q100
Data Retention:
200anno
Massima temperatura operativa:
+85 °C
Tempo di accesso casuale massimo:
40ns
Altri termini di ricerca: 1961991, Semiconduttori, Memorie, EEPROM, STMicroelectronics, M95512WMN6TP
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