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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2025668
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     AFGHL40T65SQ
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
Corrente massima continuativa collettore = 80 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±30.0V
Dissipazione di potenza massima = 1 W
Tipo di package = TO-247
Tipo di canale = N
Numero pin = 3
Configurazione transistor = Singolo
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
80 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±30.0V
Dissipazione di potenza massima:
1 W
Numero di transistor:
30
Tipo di package:
TO-247
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Altri termini di ricerca: transistor igbt, 2025668, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, AFGHL40T65SQ
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