Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 3369E-2025673 N. Art. Produtt.: AFGHL50T65SQ EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30.0V Dissipazione di potenza massima = 268 W Tipo di package = TO-247 Tipo di canale = N Numero pin = 3 Configurazione transistor = Singolo Altre informazioni: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Corrente massima continuativa collettore: | 50 A | Tensione massima collettore emitter: | 650 V | Tensione massima gate emitter: | ±30.0V | Dissipazione di potenza massima: | 268 W | Numero di transistor: | 30 | Tipo di package: | TO-247 | Tipo di canale: | N | Numero pin: | 3 | Configurazione transistor: | Singolo |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: 2025673, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, AFGHL50T65SQ |
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