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Articolo
IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 100 A, canale N, TO-247
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2025676
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
FGHL50T65SQDT
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Gli IGBT on Semiconductor offrono le prestazioni ottimali per inverter solare, UPS, saldatore, telecomunicazioni, ESS e PFC, in cui sono essenziali basse perdite di conduzione e commutazione.Temperatura di giunzione massima 175 °C. Capacità di corrente elevata Elevata impedenza di ingresso Commutazione rapida Serrare la distribuzione dei parametri Senza piombo ed è conforme alla direttiva RoHS
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
100 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±30.0V
Dissipazione di potenza massima:
134 W
Numero di transistor:
1
Tipo di package:
TO-247
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
IGBT
Altri termini di ricerca:
Transistori
,
Transistore
,
transistor igbt
,
2025676
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IGBT
,
onsemi
,
FGHL50T65SQDT
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