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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, D2PAK (TO-263)


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N. Articolo:
     3369E-2049868
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGB30H65DFB2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 50 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Dissipazione di potenza massima = 167 W
Tipo di package = D2PAK (TO-263)
Numero pin = 3
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
50 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
167 W
Numero di transistor:
1
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Numero pin:
3
Altri termini di ricerca: 2049868, Semiconduttori, Discreti, IGBT, STMicroelectronics, STGB30H65DFB2
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